MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）也叫金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱MOS管，是一種場(chǎng)效應(yīng)管。MOSFET成為當(dāng)前最廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，MOS管廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，包括電源、電腦、電視等。前文介紹了MOS管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)詳解，本文會(huì)詳細(xì)的介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)、工作原理、分類、主要特性及應(yīng)用等。
MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管基本上構(gòu)成有源區(qū)(source)、漏區(qū)(drain)和柵區(qū)(gate)三部分。在N溝道MOSFET中，一個(gè)P型襯底(substrate)上，N型沉積形成源區(qū)和漏區(qū)，其間沉積絕緣材料（通常是氧化硅）形成柵極。通過(guò)改變柵極的電壓來(lái)改變溝道中的載流子濃度，從而改變?cè)绰╅g的電導(dǎo)。
MOS管工作原理，在N溝道MOSFET中，當(dāng)柵極電壓(Vgs)高于閾值電壓(Vth)時(shí)，會(huì)在源和漏之間形成一個(gè)N型導(dǎo)電溝道。在這種情況下，溝道上的電子可以自由的由源極流向漏極，整個(gè)器件則由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)源漏電壓足夠大時(shí)，即使增加?xùn)艍海膊辉僭黾釉绰╇娏?，此時(shí)MOSFET處于飽和狀態(tài)。
MOS管分類，是按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式：MOS管又分耗盡型與增強(qiáng)型，所以MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類：N溝道消耗型、N溝道增強(qiáng)型、P溝道消耗型、P溝道增強(qiáng)型。
高輸入阻抗：MOS管柵電極和源漏區(qū)之間有絕緣層，只有微弱的柵電流，所以MOSFET的輸入阻抗很高，接近于無(wú)窮大。
低輸出阻抗：由于MOSFET是電壓控制器件，其源漏間電流可隨輸入電壓的改變而改變，所以其輸出阻抗很小。
恒流性：MOSFET在飽和區(qū)工作時(shí)，即使源漏電壓有所變化，其電流也幾乎不變，因此MOSFET具有很好的恒流性。
開(kāi)關(guān)電路：由于MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快、功耗小、驅(qū)動(dòng)電壓低等特性，因此在開(kāi)關(guān)電路中有廣泛應(yīng)用，尤其在高頻開(kāi)關(guān)電源中使用。
模擬電路：例如在運(yùn)算放大器中，MOSFET的高輸入阻抗有利于提高運(yùn)放的輸入阻抗。
數(shù)字電路：在具有高集成度的數(shù)字邏輯電路、微處理器、存儲(chǔ)芯片等中，均廣泛使用了MOSFET。
以上是對(duì)于MOSFET基本知識(shí)的一個(gè)初步介紹，MOSFET是一個(gè)深度而廣泛的學(xué)問(wèn)，還有很多深入的知識(shí)需要通過(guò)專業(yè)書(shū)籍和學(xué)習(xí)來(lái)理解。
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