MOS管的米勒效應(yīng)主要源于其內(nèi)部的寄生電容，尤其是柵極（G）與漏極（D）之間的寄生電容Cgd，也稱為米勒電容。
輸入電容Ciss=Cgs+Cgd，
輸出電容Coss=Cgd+Cds
在MOS管的開關(guān)過程中，米勒電容會(huì)在柵極和漏極之間形成負(fù)反饋，導(dǎo)致柵極電壓在一段時(shí)間內(nèi)保持不變，形成所謂的“米勒平臺(tái)”。
t0—t1階段：MOS處于截止區(qū)；
t1—t2階段：MOS進(jìn)入了飽和區(qū)；
t2—t3階段：進(jìn)入米勒平臺(tái)；
t3~t4階段：Vgs電壓繼續(xù)上升，直至MOS管完全導(dǎo)通。
當(dāng)MOS管開始導(dǎo)通時(shí)，漏極電壓Vds開始下降，通過米勒電容Cgd，柵極電壓Vgs會(huì)被拉低，從而形成一個(gè)電壓平臺(tái)。在這個(gè)階段，柵極電壓幾乎不變，直到米勒電容充滿電。米勒效應(yīng)會(huì)延長(zhǎng)MOS管的開關(guān)時(shí)間，增加開關(guān)損耗，尤其在高頻應(yīng)用中，會(huì)導(dǎo)致效率降低和熱量增加。但通過增加?xùn)艠O電阻和漏極與柵極之間的電容，可以延長(zhǎng)米勒平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。
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