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        【物聯(lián)科普】浪涌電流抑制電路詳解




        1、什么是浪涌電流?常見浪涌電流抑制電路

        浪涌電流是電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。

        浪涌電流產(chǎn)生原因:雷擊放電、設(shè)備啟停、斷路器操作等。

        浪涌產(chǎn)生的時(shí)間非常短,大概在微微秒級(jí)。出現(xiàn)時(shí),電壓電流的幅值超過正常值的兩倍以上。由于輸入濾波電容迅速充電,所以該峰值電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)輸入電流。

        2、浪涌電流常見抑制電路

        2.1、被動(dòng)抑制電路

        電阻-二極管串聯(lián)電路:在電容輸入端串聯(lián)電阻和二極管。當(dāng)直流母線通過電阻給電容充電時(shí),可限制浪涌電流。但電阻會(huì)消耗一定功率,降低系統(tǒng)效率。

        NTC熱敏電阻電路:NTC熱敏電阻在常溫下阻值較大,能有效限制浪涌電流。隨著電流通過,熱敏電阻發(fā)熱,阻值隨溫度升高而降低,從而減少對(duì)電路正常工作的影響。該電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,但熱敏電阻受環(huán)境溫度影響較大。

        2.2、主動(dòng)抑制電路

        帶軟啟動(dòng)電路的有源開關(guān)電路:如使用MOS管,MOS管通過軟啟動(dòng)電路緩慢開啟,在啟動(dòng)期間限制浪涌電流。這種電路需要外接電路,整體成本較高。

        PMOS管有源浪涌電流限制電路:在初始階段,通過電阻給電容充電,當(dāng)C1上電壓達(dá)到一定值時(shí),MOS管開啟。不過該電路有功率損耗,且零件相對(duì)較多。

        此外,還有復(fù)合型抑制電路,是同時(shí)使用壓敏電阻、瞬態(tài)二極管等各種防雷、瞬態(tài)過電壓保護(hù)元器件。


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